NESG7030M04-T2-A详细
IC RF TRANSISTOR NPN
NESG7030M04-T2-A参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿（最大值）:4.3V,频率 - 跃迁:5.8GHz,噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz,增益:14dB ~ 21dB,功率 - 最大值:125mW,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 5mA，2V,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30mA,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-343F,供应商器件封装:M04
